Effective masses in Interconnect TWLM （在Interconnect TWLM中有效質(zhì)量）

How can I calculate S-parameters for four layered design in interconnect? （在INTERCONNECT中如何計算四層設(shè)計的s參數(shù)

我在FDTD中計算了S-參數(shù)，并將其導(dǎo)入到互連中。我用了兩種方法來比較我的結(jié)果。首先，我計算了每層的s參數(shù)，并提取它進行互連。第二種方法，我提取了一次整個結(jié)構(gòu)的s參數(shù)，并將其導(dǎo)出進行互連。然而，傳輸圖的結(jié)果卻不盡相同。

我是否可以在互連中為我的設(shè)計可視化反射?

附件是兩個結(jié)果的截圖:

為了可視化反射，你可以用2個輸入端口設(shè)置ONA，然后將第二個輸入端口連接到s參數(shù)的“端口1”。在這種情況下，當您將光激發(fā)到s參數(shù)元件的“端口1”時，對該端口本身的反射可以被測量。

band offset in Interconnect TWLM （在Interconnect TWLM中的頻帶偏移）

波段偏移量(twlm。在Lumerical TWLM激光模型中定義QB和TWLM . schb) ?它們僅僅是量子阱和勢壘之間的導(dǎo)帶偏移還是量子阱和勢壘之間的帶隙能量差?

How to configure time events in Interconnect （在interconnect如何配置時間事件）

量子阱和勢壘有效質(zhì)量(twlm。定義在Lumerical TWLM激光模型中的QW_eff_mass和TWLM.qb_eff_mass) ?

它們只是這些材料中的電子有效質(zhì)量嗎?

https://en.wikipedia.org/wiki/Quantum_well

這些有效質(zhì)量數(shù)用作熱離子泄漏模型中的參數(shù)，以計算屏障上的載流子逃逸率。除了有效質(zhì)量之外，對熱離子發(fā)射（即逃逸率）很重要的另一個參數(shù)是勢壘高度。逃逸率可以在量子阱（QW）和SCH勢壘中定義?？偺右萋蕿椋?/span>

1/tau_escape=1/tau_escape_electron+ 1/tau_escape_hole

由于通常一個項占主導(dǎo)地位，用戶可以定義電子或空穴的有效質(zhì)量和勢壘高度，具體取決于哪個泄漏更占主導(dǎo)地位。對于QW逃逸率，使用的參數(shù)是QW有效質(zhì)量和勢壘高度，而對于SCH逃逸，重要參數(shù)是量子勢壘（QB）有效質(zhì)量和SCH勢壘高度。

此外，一旦您根據(jù)上述解釋決定是需要電子還是空穴有效質(zhì)量，您就可以使用我們的電氣材料數(shù)據(jù)庫，創(chuàng)建III-V族合金材料作為半導(dǎo)體，并在對象樹中的材料屬性中檢查有效質(zhì)量值?；蛘?，您可以使用自己的有效質(zhì)量值來計算量子阱和勢壘中的給定材料。