問題：

我想驗(yàn)證一下我設(shè)計(jì)的metasurfaces的無衍射性能，在高度25um的位置放了一個(gè)直徑2um的PEC材料的球，監(jiān)視器放在30um高度左右，在使用官方的metalens里的腳本，結(jié)果發(fā)現(xiàn)x_z平面里并不能看到監(jiān)視器下邊(0到30um)的部分，如何才能看到z(0到100um)全部的畫面呢?

回答：

估計(jì)不是觀察不到，而是數(shù)值較小。請(qǐng)用對(duì)數(shù)坐標(biāo)看看。

還有一個(gè)簡(jiǎn)單的方法，就是用腳本提取監(jiān)視器數(shù)據(jù)，僅看沿軸的數(shù)據(jù)，或者添加一個(gè)沿軸的線監(jiān)視器，把結(jié)果畫出來成為曲線看看。

問題：

材料插件的文檔使用 Windows 作為操作系統(tǒng)。是否可以在 Linux 上實(shí)現(xiàn)自定義材料并將它們添加到 Lumerical（可能通過 .os 文件而不是 .dll 文件）？

回答：

原則上它應(yīng)該可以工作，因?yàn)楣俜讲寮牧先?Chi2、Chi3 在 Linux 中工作。也許自定義插件材料的挑戰(zhàn)是找到兼容的編譯器。建議請(qǐng)?jiān)?linux 機(jī)器上測(cè)試一個(gè)類似的官方插件材料示例。一旦成功，可以將其作為示例并編譯它，然后測(cè)試并與原始版本進(jìn)行比較。有客戶在 Linux 中成功使用了自己的插件材料。https://support.lumerical.com/hc/en-us/articles/360034394734

問題：

新材料(包括實(shí)部和虛部)的折射率隨波長(zhǎng)的變化而變化。如何使用腳本導(dǎo)入新材料?還是只能在UI界面中導(dǎo)入?

回答：

你可以使用腳本命令addmaterial和setmaterial創(chuàng)建新的采樣3D材質(zhì)(具有離散實(shí)虛索引的材質(zhì))。本頁面在“采樣數(shù)據(jù)材料示例”下有一個(gè)示例:

https://support.lumerical.com/hc/en-us/articles/360034409654

問題：

是否有可能運(yùn)行沒有X服務(wù)器的Lumerical腳本?我目前在我們的HPC集群上運(yùn)行這樣的命令，但注意到它需要X11轉(zhuǎn)發(fā)和一個(gè)X服務(wù)器:fdtd-solutions -nw -run ./script。lsf。/例子。fsp是否可以在沒有X服務(wù)器的情況下運(yùn)行腳本?這樣就可以在HPC作業(yè)中提交它們，還可以避免由于Xming崩潰等原因?qū)е碌拿钍　?/p>

回答：

腳本是CAD/GUI的一部分。當(dāng)運(yùn)行腳本時(shí)，它將始終需要GUI環(huán)境和GUI許可證。我們有這個(gè)虛擬展示。否則，請(qǐng)咨詢IT/集群管理員安裝GUI/桌面環(huán)境(即Gnome)。

問題：

老師您好，我想在FDTD中仿真如圖所示的具有SWG結(jié)構(gòu)的Grating Coupler，需要在頂部的Si中刻蝕掉一系列尺寸漸變的長(zhǎng)方體洞（圖中黃色是頂部的Si，紫色為底部的SiO2）。FDTD中是否可以通過布爾運(yùn)算來實(shí)現(xiàn)這樣的結(jié)構(gòu)？還是只能通過mesh order來實(shí)現(xiàn)？另外所刻掉的一系列長(zhǎng)方體尺寸之間具有線性關(guān)系，是否可以直接通過一個(gè)長(zhǎng)方體和函數(shù)關(guān)系來生成這樣的整個(gè)陣列？

回答：

不能通過布爾運(yùn)算來實(shí)現(xiàn)這樣的結(jié)構(gòu)， 只能通過mesh order來實(shí)現(xiàn)。可以用結(jié)構(gòu)組，用腳本完成設(shè)置，或者手工一個(gè)一個(gè)添加、Copy。請(qǐng)參見器件庫(kù)中的結(jié)構(gòu)組了解如何設(shè)置。

問題：

我需要得到電壓-相位變化關(guān)系，所以我使用CHARGE和FDE來得到neff的變化。對(duì)此，我有以下幾點(diǎn)疑問:

1)我可以在CHARGE中模擬類似鈮酸鋰的材料嗎?我的意思是它支持鈮酸鋰的各向異性介電常數(shù)嗎?

2)如果是，我如何定義它的材料屬性?我是否需要在電場(chǎng)極化和變化的異常軸(xcut LNOI)方向上給出它的相對(duì)介電常數(shù)?

3)在絕緣體屬性中(SiO2)有一個(gè)相對(duì)介電常數(shù)的選項(xiàng)，但這也是頻率和溫度的函數(shù)(https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s40145-015-0176-7.pdf)所以我怎么做;我應(yīng)該在哪個(gè)頻率選擇相對(duì)介電常數(shù)?

4) 默認(rèn)數(shù)據(jù)庫(kù)中給出的所有材料的熱性能值都是相同的，不會(huì)影響模擬嗎?

回答：

A1:目前CHARGE不支持各向異性材料。

A2: 您可以嘗試進(jìn)行兩次(no, ne)或三次模擬(如果nxx、nyy和nzz的值不同)，并檢查結(jié)果，看看差異是否很大。(這超出了論壇范圍，但值得嘗試，個(gè)人，并讓我知道你的結(jié)果)。

A3:CHARGE只使用直流介電常數(shù)，因?yàn)殡姾蓚鬏敺匠讨惶幚盱o態(tài)場(chǎng):CHARGE求解器引入的場(chǎng)不依賴于頻率。其他參數(shù)可以隨溫度變化而變化，但直流介電常數(shù)默認(rèn)不變。如果變化較大，你可以嘗試在不同的溫度下使用不同的直流介電常數(shù)值(同樣，這超出了論壇的范圍，但你可以嘗試并看到差異。我認(rèn)為這樣的改變將是***小的)。

A4: 如果你沒有模擬與HEAT耦合，它假設(shè)溫度不會(huì)因?yàn)镃HARGE而改變。如果參數(shù)隨溫度變化而影響結(jié)果，可以使用HEAT進(jìn)行聯(lián)合模擬。

問題：

波段偏移量(twlm。在Lumerical TWLM激光模型中定義QB和TWLM . schb) ?它們僅僅是量子阱和勢(shì)壘之間的導(dǎo)帶偏移還是量子阱和勢(shì)壘之間的帶隙能量差?

回答：

QB為量子勢(shì)壘高度，SCHB為SCH勢(shì)壘高度。

問題：

如何可能改變一個(gè)參數(shù)在一個(gè)給定的時(shí)間域模擬。例如，在某個(gè)時(shí)間打開或關(guān)閉開關(guān)，或隨時(shí)間改變電阻器的值。

回答：

INTERCONNECT中的元素的屬性在時(shí)域模擬過程中是固定的，所以在模擬過程中不能改變它們。***改變的元件參數(shù)是那些依賴于輸入信號(hào)的值，例如調(diào)制器的有效指數(shù)，它依賴于輸入電信號(hào)。創(chuàng)建隨時(shí)間變化的屬性的一種可能方法是使用Scripted Element，但這是一種高級(jí)特性，可能需要用戶花費(fèi)大量開發(fā)時(shí)間。